1SS244 Skiftende diode-topdiode
Silicium epitaksial plan diode
Højspændingskoblingsdiode
●1SS244 Switching Diode Introduktion
1SS244 DO-34 Ammunition RoHS 250V 200mA
●1SS244 Skiftende diode-funktioner
* Forseglet glaskuvert. (MSD)
* VRM=250V garanteret.
* Høj pålidelighed
●1SS244 Switching Diode Applications
* Højspændingsskift
* Almindelig udbedring
●1SS244 Switching Diode Qualification，Levering, forsendelse og vilkår
* RoHS-kompatibel
* REACH-kompatibel
* Almindelig lagerdiode 1SS24 tilgængelig
* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår
●1SS244 Skiftende diodekonturer og udvendige dimensioner
●1SS244 Switching Diode MAKSIMUM KRAFTIGHEDER OG ELEKTRISKE KARAKTERISTIKA
Absolutte maksimumvurderinger (Ta = 25℃)
| Parameter |
Symbol |
Værdi |
Enhed |
| Peak omvendt spænding |
VRM |
250
|
V
|
| Omvendt spænding |
VR |
220
|
V
|
| Gennemsnitlig rettet fremstrøm |
HVIS(AV) |
200
|
mA |
| Top fremadstrøm |
IFM |
625
|
mA |
| Overspænding fremadstrøm (1 s) |
IFSM |
1
|
A
|
| Effekttab |
Ptot |
500
|
mW |
| Junction temperatur |
Tj |
175
|
℃
|
| Opbevaringstemperaturområde |
TStg |
- 65 til + 175 |
℃
|
Karakteristika ved Ta = 25℃
| Parameter |
Symbol |
Maks. |
Enhed |
Fremadspænding
ved IF= 200 mA |
VF |
1.5
|
V
|
Omvendt strøm
ved VR= 220 V |
IR |
10
|
µA |
Kapacitans mellem terminaler
ved VR = 0, f = 1 MHz |
CT |
3
|
pF |
Omvendt gendannelsestid
ved IR= 20 mA, IF= 20 mA, RL= 50 Ω |
|
trr |
75
|
ns |
Hot Tags: 1SS244 Switching Diode, Producenter, Leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret
