●2N3904NPN Epitaksial siliciumGenerel Transistor - Topdiode
2N3904 NPN Epitaksial Silicium Transistor, Bipolær (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 625 mW Gennemgående hul TO-92
2N3904 transistor er en silicium epitaksial plan NPN generel forstærker og switch. Det nyttige dynamiske område strækker sig til 100 mA som switch og til 100 MHz som forstærker.
●Introduktion til 2N3904 NPN epitaksial silicium transistor til generel brug
2N3904 er en NPN-transistor, der bruges til generelle formål, herunder switching og forstærkning. Den har tre terminaler Emitter, Base og Collector. Det er en type Bipolar Junction Transistor BJT, da det er en strømstyret transistor. I 2N3904, når basisstiften er jordet, åbnes emitteren og solfangeren, hvilket er kendt som omvendt forspændt, mens emitteren og solfangeren vil være lukket, når signalerne overføres til basisstiften, dette er kendt som fremadrettet.
●2N3904 NPN epitaksial silicium Transistor FUNKTIONER
* 2N3904NPN silicium epitaksial plan transistor tilswitching og forstærker applikationer
* Som komplementær type anbefales PNP-transistoren 2N3906
* Denne transistor fås også i SOT-23-kassen med typebetegnelsen MMBT3904
* Lille belastningsomskiftertransistor med høj forstærkning og lav mætningsspænding
* Collector Base Voltage: 50V; Collector Emitter Voltage: 45V; Emitter Base Voltage: 5V
* Samlerstrøm: 200Ma; Effekttab: 625mW
●2N3904 NPN epitaksial silicium universaltransistorapplikation
* switching og forstærker applikationer
* Signalbehandling,
* Strømstyring,
* Bærbare enheder,
* Forbrugerelektronik, industri
●2N3904 NPN Epitaksial Silicium Kvalifikation til generelle formål - Levering, forsendelse og vilkår
* RoHS-kompatibel
* REACH-kompatibel
* Almindelig lager
* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår
●2N3904 NPN epitaksial silicium generelle konturer og ydre dimensioner
●2N3904 NPN epitaksial silicium til generelle formål MAKSIMUM KRAFTIGHEDER OG ELEKTRISKE KARAKTERISTIKA
MAKSIMUM VURDERINGER (TA=25°C, medmindre andet er angivet)
Symbol |
Parameter |
Værdi |
Enheder |
VCBO |
Collector-Base spænding |
60
|
V
|
VCEO |
Collector-Emitter spænding |
40
|
V
|
VEBO |
Emitter-Base spænding |
6
|
V
|
IC |
Samlerstrøm -Kontinuerlig |
0.2
|
A
|
PC |
Collector Power Dissipation |
0.625
|
W
|
TJ |
Junction temperatur |
150
|
°C |
Tstg |
Stuetemperatur |
-55-150 |
°C |
ELEKTRISKE EGENSKABER (Tamb=25°C, medmindre andet er angivet)
Parameter |
Symbol |
Testbetingelser |
MIN |
TYP |
MAKS |
ENHED |
Kollektor-base gennembrudsspænding |
V(BR)CBO |
IC=10µA, IE=0 |
60
|
|
|
V
|
Kollektor-emitter gennembrudsspænding |
V(BR) CEO |
IC=1mA, IB=0 |
40
|
|
|
V
|
Emitter-base gennembrudsspænding |
V(BR)EBO |
IE = 10 µA, IC=0 |
6
|
|
|
V
|
Samlerafbrydelsesstrøm |
ICBO |
VCB=60V, IE=0 |
|
|
0.1
|
µA |
Samlerafbrydelsesstrøm |
ICEO |
VCE=40V, IB=0 |
|
|
0.1
|
µA |
Emitter afskæringsstrøm |
IEBO |
VEB= 5V, IC=0 |
|
|
0.1
|
µA |
DC strømforstærkning |
hFE1 |
VCE=1V, IC=10mA |
100
|
|
400
|
|
hFE2 |
VCE=1V, IC=50mA |
60
|
|
|
|
hFE3 |
VCE=1V, IC=100mA |
30
|
|
|
|
Samler-emitter mætning spænding |
VCE(lør) |
IC=50mA, IB=5mA |
|
|
0.3
|
V
|
Base-emitter mætning spænding |
VBE(lør) |
IC=50mA, IB=5mA |
|
|
0.95
|
V
|
Overgangsfrekvens |
fT |
VCE=20V,IC=10mA,f=100MHz |
300
|
|
|
MHZ |
Forsinkelse |
td |
VCC=3V,VBE=0,5V, IC=10mA, IB1=1mA |
|
|
35
|
ns |
Tid til at stå op |
tr |
|
|
35
|
ns |
Opbevaringstid |
ts |
VCC=3V, IC=10mA IB1=IB2=1mA |
|
|
200
|
ns |
Efterårstid |
tf |
|
|
50
|
ns |
KLASSIFIKATION AF hFE1
Rang |
O
|
Y
|
G
|
Rækkevidde |
100-200 |
200-300 |
300-400 |