2N3906 NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål

2N3906 NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål -- Topdiode

2N3906 bipolær (BJT) enkelt transistor, højhastighedskobling, PNP, 40V, 200mA, 625mW, TO-92

2N3906 PNP bipolær transistor er designet til brug i lineære og switchede applikationer. Enheden er indeholdt i TO-92-pakken, som er designet til applikationer med medium effekt.

●2N3906 NPN epitaksial silicium introduktion til generel transistor

2N3906, 2N Transistor Series i TO-92 cover. 2N3906, BJT PNPtype er en transistor. 2N3906 transistoren har 200mA kollektorstrøm og 40 V kollektor-emitterspænding

2N3906 Lille signal PNP bipolær transistor, TO-92

●2N3906 NPN epitaksial silicium generel transistorfunktion

* 2N3906 PNP silicium epitaksial plan transistor til switching og forstærker applikationer

* Som komplementær type anbefales NPN-transistoren 2N3904

* Denne transistor fås også i SOT-23-kassen med typebetegnelsen MMBT3906

●2N3906 NPN epitaksial silicium universaltransistorapplikation

* Velegnet til tv- og husholdningsapparater
* Små lavbelastningstransistorer med høj forstærkning og lav mætningsspænding

* Brug det til at designe kredsløb til industrielle applikationer

* Anvendes i inverter- og omformerkredsløb

* Bruges til at lave sirene eller dobbelt LED eller lampeblink.

* Kan bruges i Darlington Pair.

●2N3906 NPN epitaksial silicium generel transistorkvalifikation，Levering, forsendelse og vilkår

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindelig lagerdiodediode

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●2N3906 PNP epitaksial silicium generel transistorkonturer og ydre dimensioner

●2N3906 PNP epitaksial silicium transistor til generel brug MAKSIMUM KRAFTIGHEDER OG ELEKTRISKE KARAKTERISTIKA

MAKSIMUM VURDERINGER (TA=25°C, medmindre andet er angivet)

ELEKTRISKE EGENSKABER (Tamb=25°C, medmindre andet er angivet)

KLASSIFIKATION AF hFE1

●2N3906 PNP epitaksial silicium transistor til generelle formålRelaterede dele

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel