BAS216WS Højhastighedskoblingsdioder –Topdiode
Silicium epitaksial plan koblingsdiode
●BAS216WS Højhastighedskoblingsdioder Introduktion
BAS216WS SOD-323 85V 250mA
●BAS216WS Højhastigheds skiftedioder Funktioner
* Ultra lille plast SMD pakke
* Høj koblingshastighed: max. 4 ns
* Omvendt spænding: max. 75 V
* Gentagen spidsspænding: max. 85 V
●BAS216WS Højhastighedskoblingsdioder Anvendelser
* Højhastighedsskift
●BAS216WS Højhastighedskoblingsdioder Kvalifikation，Levering, forsendelse og vilkår
* RoHS-kompatibel
* REACH-kompatibel
* Almindelig lagerdiode BAS216WS tilgængelig
* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår
●BAS216WS Højhastighedskoblingsdioder Kontur og ydre dimensioner
● BAS216WS Højhastigheds-omskiftningsdioder MAKSIMUM KRAFTIGHEDER OG ELEKTRISKE EGENSKABER
Absolutte maksimumvurderinger (Ta = 25 OC)
|
Parameter
|
Symbol
|
Værdi
|
Enhed
|
|
Gentagende Peak Reverse Voltage
|
VRRM
|
85
|
V
|
|
Omvendt spænding
|
VR
|
75
|
V
|
|
Kontinuerlig fremadgående strøm
|
HVIS
|
250
|
mA
|
|
Gentagende spidsstrøm
|
IFRM
|
500
|
mA
|
|
Ikke-repetitiv spidsspændingsstrøm
|
ved t = 1 s
ved t = 1 ms
|
IFSM
|
0.5
1
4
|
A
|
|
|
ved t = 1 μs
|
|
Effekttab
|
Ptot
|
200
|
mW
|
|
Junction temperatur
|
Tj
|
150
|
OC
|
|
Opbevaringstemperaturområde
|
Tstg
|
- 65 til + 150
|
OC
|
Karakteristika ved Ta = 25 OC
|
Parameter
|
Symbol
|
Maks.
|
Enhed
|
|
Fremadspænding
ved IF= 1 mA
ved IF= 10 mA
ved IF= 50 mA
ved IF= 150 mA
|
VF
|
0.715
0.855
1
1.25
|
V
|
|
Omvendt strøm
ved VR= 25 V
ved VR= 75 V
ved VR= 25 V, TJ= 150OC
ved VR= 75 V, TJ= 150OC
|
IR
|
30
1
30
50
|
nA
µA
µA
µA
|
|
Diode Kapacitans
ved VR = 0 V, f = 1 MHz
|
Ctot
|
1.5
|
pF
|
|
Omvendt gendannelsestid
ved IF= 10 mA til IR= 10 mA, IR= 1 mA, RL= 100 Ω
|
trr
|
4
|
ns
|
Hot Tags: BAS216WS High Speed Switching Diodes, Producenter, Leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret
