BAV199 Dual Surface Mount Low Leakage Diode

BAV199 Dual Surface Mount Low Leakage Diode er en overflademonteret lavlækage Dual Diode til lille signalomskiftning. Den er ideel til automatisk indføring og mellemhastighedsstrømapplikationer.

Send forespørgsel Download PDF

Produkt beskrivelse
specifikationer
Hent

BAV199 dobbelt overflademonteret diode med lav lækage â€“ Topdiode

BAV199er en overflademonteret lav lækage Dual Diode til lille signal switching. Den er ideel til automatisk indføring og mellemhastighedsstrømapplikationer.

●BAV199 dobbelt overflademonteret diode med lav lækage Introduktion

Silicium epitaksial plan diode

Lav lækage skiftende dobbelt diode til lav lækstrøm applikationer

BAV199 SOT-23 85V Enkeltdiode 160mA/ Dobbeltdiode 140mA

●BAV199 dobbelt overflademonteret diode med lav lækage Funktioner

* Meget lav lækstrøm

* Mellemhastighedsskiftetider

* Serie par konfiguration

●BAV199 dobbelt overflademontering diode med lav lækage Anvendelser

* Højhastighedsskift

●BAV199 dobbelt overflademontering diode med lav lækage Kvalifikationï¼ŒLevering, forsendelse og vilkår

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindelig lagerdiode BAV199 tilgængelig

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●BAV199 dobbelt overflademonteret diode med lav lækage omrids og udvendige dimensioner

●BAV199 dobbelt overflademontering diode med lav lækage MAKSIMUM KRAFTIGHEDER OG ELEKTRISKE EGENSKABER

Absolutte maksimumvurderinger (Ta = 25C)

Parameter	Symbol	Værdi	Enhed
Peak Repetitive Reverse Voltage	VRRM	85	V
Kontinuerlig omvendt spænding	VR	85	V
Kontinuerlig fremadrettet enkelt diode Dobbelt diode	HVIS	160 140	mA
Gentagende spidsstrøm	IFRM	500	mA
Ikke-repetitiv spidsfremadspændingsstrøm ved t = 1 µs ved t = 1 ms ved t = 1 s	IFSM	4 1 0.5	A
Effekttab	PD	250	mW
Termisk modstandsforbindelse til omgivende luft	RÎ¸JA	500	OC/W
Drifts- og opbevaringstemperaturområde	Tj, Tstg	- 65 til + 150	OC

Elektriske egenskaber (Ta = 25 OC)

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Maks.	Enhed
Omvendt nedbrudsspænding ved IR = 100 µA	V(BR)R	85	-	-	V
Fremadspænding ved IF = 1 mA ved IF = 10 mA ved IF = 50 mA ved IF = 150 mA	VF	- - - -	- - - -	0.9 1 1.1 1.25	V
Omvendt strøm ved VR = 75 V ved VR = 75 V, Tj = 150 OC	IR IR	- -	- -	5 80	nA
Total Kapacitans ved VR = 0, f = 1 MHz	CT	-	2	-	pF
Omvendt gendannelsestid ved IF = IR = 10 mA, Irr = 0,1 X IR, RL = 100 â„¦	trr	-	-	3	µs

●BAV199 dobbelt overflademontering diode med lav lækage Relaterede dele

BAV199 dobbelt overflademonteret diode med lav lækage

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel

Hot Tags: BAV199 Dual Surface Mount Low Leakage Diode, Producenter, Leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret