BAV70WS Switching Diode - Topdiode
Silicium epitaksial plan koblingsdiode
● BAV70WS Switching Diode Introduktion
Diode Small Signal Switching Si 70V 0,2A 2-Pin SOD-323
●BAV70WS Switching Diode Features
* Lav fremadspænding og lav strømlækage
* Højhastighedsskifteapplikation
* RoHS-kompatibel
●BAV70WS Switching Diode Applications
* Højhastighedsskift
●BAV70WS Switching Diode Qualification，Levering, forsendelse og vilkår
* RoHS-kompatibel
* REACH-kompatibel
* Almindelig lagerdiode BAV70WS tilgængelig
* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår
●BAV70WS Skiftende diodekonturer og udvendige dimensioner
●BAV70WS Switching Diode MAKSIMUM KRAFTIGHEDER OG ELEKTRISKE EGENSKABER
Absolutte maksimumvurderinger (Ta = 25 OC)
|
Parameter
|
Symbol
|
Værdi
|
Enhed
|
|
Peak Repetitive Reverse Voltage
|
VRRM
|
70
|
V
|
|
Gennemsnitlig rettet fremstrøm
|
HVIS(AV)
|
200
|
mA
|
|
Ikke-repetitiv spids fremadstrøm t = 1 µs
t = 1 s
|
IFSM
|
2
1
|
A
|
|
Effekttab
|
Pd
|
250
|
mW
|
|
Driftsforbindelsens temperaturområde
|
Tj
|
150
|
OC
|
|
Opbevaringstemperaturområde
|
Tstg
|
- 55 til + 150
|
OC
|
Karakteristika ved Ta = 25 OC
|
Parameter
|
Symbol
|
Min.
|
Maks.
|
Enhed
|
|
Omvendt spænding
ved IR= 100 μA
|
VR
|
70
|
-
|
V
|
|
Fremadspænding
ved IF= 1 mA
ved IF= 10 mA
ved IF= 50 mA
|
VF
|
-
-
-
|
715
855
1
|
mV
mV
V
|
|
Omvendt spænding
ved VR= 70 V
ved VR= 25 V, Ta= 150OC
ved VR= 70 V, Ta= 150OC
|
IR
|
-
-
-
|
5
60
100
|
μA
|
|
Omvendt gendannelsestid
ved IF= IR= 10 mA til IR= 1 mA, RL= 100 Ω
|
trr
|
-
|
6
|
ns
|
|
Total Kapacitans
ved VR = 0, f = 1 MHz
|
CT
|
-
|
1.5
|
pF
|
Hot Tags: BAV70WS Switching Diode, Producenter, Leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret
