BC547 NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål

BC547 NPN Epitaksial Silicium Transistor 45V 0.1A TO-92 PakkeBC546â€¦BC550 NPN Silicium Epitaksial Plan Transistor til switching og AF-forstærkerapplikation. Disse transistorer er opdelt i tre grupper A, B og C i henhold til deres strømforstærkning

Send forespørgsel Download PDF

Produkt beskrivelse
specifikationer
Hent

●BC547 NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål -- Topdiode

BC547 NPN epitaksial silicium universaltransistor 45V 0,1A TO-92 pakke

BC546â€¦BC550 NPN Silicium Epitaxial Planar Transistor til switching og AF-forstærkerapplikation. Disse transistorer er opdelt i tre grupper A, B og C i henhold til deres strømforstærkning

●BC547 NPN epitaksial silicium introduktion til generel formål

BC547 er en NPN bi-polær forbindelsestransistor. En transistor, står for overførsel af modstand, bruges almindeligvis til at forstærke strøm. En lille strøm ved sin base styrer en større strøm ved kollektor- og emitterterminaler.

●BC547 NPN epitaksial silicium generelle funktioner

* Switching og forstærker

* Højspænding

* Lav støj

* Supplement til BC557

* Samlerstrøm: 100mA

* Collector Power Dissipation: 500mW

●BC547 NPN epitaksial silicium applikation til generelle formål

* Almindelig omskiftning og forstærkning

* Sensorkredsløb

* Audio Preamp kredsløb

* Lydforstærkertrin

* Skiftende belastninger under 100mA

* Transistor Darlington-par

* Radiofrekvenskredsløb

●BC547 NPN Epitaksial Silicium Kvalifikation til generelle formål - Levering, forsendelse og vilkår

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindelig lagerdiode

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●BC547 NPN epitaksial silicium generelle konturer og ydre dimensioner

●BC547 NPN epitaksial silicium til generel brug MAKSIMUM KRAFTIGHEDER OG ELEKTRISKE KARAKTERISTIKA

Absolutte maksimumværdier (Ta = 25°C)

Parameter		Symbol	Værdi	Enhed
Collector Basisspænding	BC546		80
	BC547, BC550	VCBO	50	V
	BC548, BC549		30
Collector Emitter Spænding	BC546		65
	BC547, BC550	VCEO	45	V
	BC548, BC549		30
Emitter basisspænding		VEBO	6	V
Samlerstrøm (DC)		IC	100	mA
Peak Collector Current		ICM	200	mA
Total effekttab		Ptot	500	mW
Junction temperatur		Tj	150	°C
Opbevaringstemperaturområde		Tstg	- 65 til + 150	°C

Karakteristika ved Ta = 25 °C

Parameter	Symbol	Min.	Maks.	Enhed
DC strømforstærkning ved VCE= 5 V, IC= 2 mA Strømforstærkning gruppe A B C	hFE	110 200 420	220 450 800	- - -
Collector Base Cutoff Current ved VCB = 30 V	ICBO	-	15	nA
Emitter Base Cutoff Current ved VEB= 5 V	IEBO	-	100	nA
Collector Base Breakdown Voltage BC546 ved IC = 100 µA BC548, BC549	V(BR)CBO	80 50 30	- - -	V
Collector Emitter Breakdown Voltage BC546 ved IC = 1 mA BC547, BC550 BC548, BC549	V(BR) CEO	65 45 30	- - -	V
Emitter Base Breakdown Spænding ved IE = 10 µA	V(BR)EBO	6	-	V

Karakteristika ved Ta = 25 °C

Parameter	Symbol	Min.	Maks.	Enhed
Collector Emitter Saturation Voltage ved IC = 10 mA, IB = 0,5 mA ved IC = 100 mA, IB = 5 mA	VCE(lør)	- -	0.25 0.6	V
Basisemitter på spænding ved VCE= 5 V, IC= 2 mA ved VCE= 5 V, IC= 10 mA	VBE(til)	0.55 -	0.7 0.77	V
Overgangsfrekvens ved VCE= 5 V, IC= 10 mA, f = 100 MHz	fT	100	-	MHz
Collector Base Kapacitans ved VCB= 10 V, f = 1 MHz	Ccb	-	6	pF

●BC547 NPN Epitaksial silicium relaterede dele til generelle formål

BC547 NPN Epitaksial silicium til generelle formål - Topdiode

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel

Hot Tags: BC547 NPN Epitaxial Silicium Transistor, Producenter, Leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret