●BC817W 45 V, 500 mA NPN Generelle transistorer-topdiode
MMBT9014 NPN silicium epitaksiale plane generel transistorer 45V 0,2W 0,1A NPN SOT-23 bipolære transistorer
MMBT9014 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor er til switching og AF-forstærkerapplikationer
Som komplementære typer anbefales PNP-transistoren MMBT9015
●BC817W 45 V, 500 mA NPN universaltransistorer Introduktion
MMBT9014 NPN generel transistor i en lille SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastpakke
●BC817W 45 V, 500 mA NPN Transistorer til generelle formål FUNKTIONER
*Høj total effekttab.
*Fremragende hFE-linearitet.
*Supplerende til MMBT9015
●BC817W 45 V, 500 mA NPN Transistorer til generelle formål
* til switching og AF-forstærkerapplikationer
* Adaptere
* Belysningsapplikation
* Indbygget DC/DC-konverter
●BC817W 45 V, 500 mA NPN Generelle transistorer Kvalifikation,Levering, forsendelse og vilkår
* RoHS-kompatibel
* REACH-kompatibel
* Almindelig lager Diode Diode Ensretter M7 tilgængelig;
* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår
●BC817W 45 V, 500 mA NPN transistorer til generelle formål Kontur og eksterne dimensioner
●BC817W 45 V, 500 mA NPN universaltransistorer MAKSIMUM KRAFTIGHEDER OG ELEKTRISKE KARAKTERISTIKA
Absolutte maksimumvurderinger (Ta = 25℃)
Parameter |
Symbol |
Værdi |
Enhed |
Collector Basisspænding BC817W BC818W |
VCBO |
50
30
|
V
|
Collector Emitter Spænding BC817W BC818W |
VCEO |
45
25
|
V
|
Emitter basisspænding |
VEBO |
5
|
V
|
Samler Aktuel |
IC |
500
|
mA |
Effekttab |
Ptot |
200
|
mW |
Junction temperatur |
TJ |
150
|
℃
|
Opbevaringstemperaturområde |
Tstg |
-65 til +150 |
℃
|
1) Transistor monteret på et FR4 printkort.
Karakteristika ved Tamb = 25℃
Parameter |
Symbol |
Min. |
Maks. |
Enhed |
DC strømforstærkning |
|
hFE
|
100
160
250
40
|
|
|
ved VCE= 1 V, IC= 100 mA |
|
250
|
|
|
-16W |
400
|
-
|
|
-25W |
600
|
-
|
|
-40W |
-
|
-
|
ved VCE= 1 V, IC= 500 mA |
|
|
|
-
|
Collector Cutoff Current ved VCB = 20 V |
ICBO |
-
|
100
|
nA |
Emitter Cutoff Current ved VEB= 5 V |
IEBO |
-
|
100
|
nA |
Collector Base Breakdown Voltage ved IC = 10 µA |
BC817W BC818W |
V(BR)CBO |
50
30
|
-
|
V
|
Collector Emitter Breakdown Voltage ved IC = 10 mA |
BC817W BC818W |
V(BR) CEO |
45
25
|
-
|
V
|
Emitter Base Breakdown Spænding ved IE = 10 µA |
V(BR)EBO |
5
|
-
|
V
|
Collector Emitter Saturation Voltage ved IC = 500 mA, IB = 50 mA |
VCEsat |
-
|
0.7
|
V
|
Base Emitter Spænding ved IC= 500 mA, VCE= 1 V |
VBE |
-
|
1.2
|
V
|
Overgangsfrekvens ved VCE= 5 V, IC= 10 mA, f = 100 MHz |
fT |
100
|
-
|
MHz |
Samler Kapacitans ved VCB = 10 V, f = 1 MHz |
Cc |
-
|
5
|
pF |