Kina BC818 NPN Silicium Epitaksial Transistor Generelle Formål Producenter og Leverandører

Produkt beskrivelse
specifikationer
Hent

●BC818 NPN silicium epitaksial transistor til generelle formål - Topdiode

BC818 NPN silicium epitaksial transistor til generel anvendelse til switching, AF-driver og forstærkerapplikation. Specielt velegnet til automatisk indføring i tyk- og tyndfilmskredsløb.

Disse transistorer er opdelt i tre grupper16, -25, -40 i henhold til deres strømforstærkning. Som komplementære typer anbefales PNP-transistorerne BC808

●BC818 NPN Silicium epitaksial transistor introduktion til generelle formål

BC818 NPN generel transistor i en lille SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastpakke

●BC818 NPN silicium epitaksial transistor generelle funktioner

* Høj strøm

* Tre valg af strømforstærkning

* Ideelt egnet til automatisk indsættelse

* Epitaksial plan matricekonstruktion

* Supplerende PNP-typer tilgængelige (BC808)

* Til skift og AF-forstærkerapplikationer

* Fuldstændig blyfri og fuldstændig RoHS-kompatibel

●BC818 NPN Silicium epitaksial transistor til generelle formål Anvendelser

* Almindelig omskiftning og forstærkning

* Skiftende strømforsyning (SMPS)

* Adaptere

* Belysningsapplikation

* Indbygget DC/DC-konverter

●BC818 NPN silicium epitaksial transistor til generel brug Kvalifikation Levering, forsendelse og vilkår

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindelig lager Diode Diode Ensretter M7 tilgængelig;

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●BC818 NPN silicium epitaksial transistor generelle konturer og ydre dimensioner

●BC818 NPN silicium epitaksial transistor generelle formål ELEKTRISKE KARAKTERISTIKA

Absolutte maksimumværdier (Ta= 25 °C)
Parameter	Symbol		Værdi			Enhed
Collector Basisspænding BC817 BC818	Vcbo		50 30			V
Collector Emitter Spænding BC817 BC818	Vceo		45 25			V
Emitter basisspænding	Vebo		5			V
Samler Aktuel	lc		500			mA
Effekttab	Ptot		300			mW
Junction temperatur	Tj		150			°C
Opbevaringstemperaturområde	Tstg		-55 til + 150			°C
Elektriske egenskaber ved Ta= 25 °C
Parameter	Symbol	Min.		Typ.	Maks.		Enhed
DC-strømforstærkning ved VCe = 1 V, lc= 100 mA Strømforstærkningsgruppe -16 -25 -40 ved VCe = 1 V, lc = 500 mA	hFE hFE hFE hFE	100 160 250 40		-	250 400 600 -		-
Collector Base Cutoff Current ved Vcb=20 V	ICBO	-		-	100		nA
Emitter Base Cutoff Current ved Veb=5 V	Iebo	-		-	100		nA
Collector Emitter Saturation Voltage ved lc= 500 mA, lB= 50 mA	VcE(sat)	-		-	0.7		V
Basisemitterspænding ved lc=500 mA, VCE= 1 V	VBE(til)	-		-	1.2		V
Overgangsfrekvens ved VCe - 5 V, lc= 10 mA, f = 50 MHz	fT	100		-	-		MHz
Collector Base Kapacitans ved VCB= 10 V,f= 1 MHz	C°b	-		5	-		pF

●BC818 NPN Silicium epitaksial transistor til generelle formål Relaterede dele

BC818 NPN silicium epitaksial transistor til generelle formål - Topdiode

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel

Hot Tags: BC818 NPN silicium epitaksial transistor til generelle formål, fabrikanter, leverandører, køb, fabrik, på lager, bulk, gratis prøve, mærker, Kina, fremstillet i Kina, pris, prisliste, tilbud, REACH, ROHS, kvalitet, holdbar, avanceret

Produkt Tag

Send forespørgsel

Du er velkommen til at give din forespørgsel i nedenstående formular. Vi svarer dig inden for 24 timer.

Produkter

Nye produkter

BC818 NPN silicium epitaksial transistor til generelle formål

BC818 NPN silicium epitaksial transistor til generel brug til switching, AF-driver og forstærkerapplikation. Specielt velegnet til automatisk indføring i tyk- og tyndfilmskredsløb.