BC846 NPN silicium epitaksial transistor til generelle formål

●BC846 NPN Silicium Epitaksial Transistor til generel brug - Topdiode

BC846 NPN Silicium Epitaksial Transistora-halvleder til generel brug, der indeholder en fast, ikke-bevægelig del, der passerer en ladning. En transistor kan forstærke og skifte elektroniske signaler og elektrisk strøm og er lavet af halvledermateriale med mindst tre terminaler, der bruges til at forbinde til et eksternt kredsløb. Transistorer kan forstærke et signal, fordi udgangseffekten kan være højere end indgangseffekten. Ved at påføre en spænding eller en strøm til et af klemmeparrene sker der en ændring i strøm gennem et andet klemmepar.

BC846 NPN silicium epitaksial transistor til switching og forstærker applikationer Som komplementære typer anbefales PNP transistorer BC856

●BC846 NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål Introduktion

BC846 65 V, 100 mA NPN universaltransistorer

NPN-transistorer til generelle formål i SMD-plastemballager (Surface-Mounted Device).

●BC846 NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål

* Transistorer til generelle formål

* SMD plastikpakker

* To forskellige forstærkningsvalg

* Høj strømforstærkning

* Lav kollektor-emitter mætning spænding

* Lav støj mellem 30Hz og 15KHz

* Komplementære typer: BC856(PNP)

●BC846 NPN Silicium Epitaksial Transistor-applikationer til generelle formål

* Almindelig omskiftning og forstærkning

* Til AF-inputtrin og driverapplikationer

* Signalbehandling

* Adaptere

* Belysningsapplikation

●BC846 NPN Silicium Epitaksial Transistor Kvalifikation til generel brug Levering, forsendelse og vilkår

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindelig lagerdiode

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●BC846 NPN silicium epitaksial transistor konturer og ydre dimensioner til generel brug

●BC846 NPN Silicium epitaksial transistor til generel brug ELEKTRISKE EGENSKABER

Absolutte maksimumvurderinger (Ta = 25 OC)

Karakteristika ved Ta = 25 OC

Parameter																															Symbol					Min.			Typ.		Maks.					Enhed
DC strømforstærkning ved VCE= 5 V, IC= 2 mA																				Nuværende gevinstgruppe A B C											hFE hFE hFE					110 200 420			- - -		220 450 800					- - -
Collector Base Cutoff Strøm kl VCB = 30 V																															ICBO					-			-		15					nA
Collector Base Breakdown Voltage ved IC = 100 µA																				BC846 BC847, BC850 BC848, BC849											V(BR)CBOV(BR)CBOV(BR)CBO					80 50 30			- - -		- - -					V V V
Collector Emitter Breakdown Voltage ved IC= 2 mA																				BC846 BC847, BC850 BC848, BC849											V(BR)CEOV(BR)CEOV(BR)CEO					65 45 30			- - -		- - -					V V V
Collector Emitter Breakdown Voltage ved IC = 100 µA																				BC846, BC847 BC848,BC849,BC850											V(BR)EBOV(BR)EBO					6 5			- -		- -					V V
Collector Emitter Saturation Voltage ved IC = 10 mA, IB = 0,5 mA ved IC = 100 mA, IB = 5 mA																															VCEsatVCEsat					- -			- -		250 600					mV mV
Basisemitter på spænding ved VCE= 5 V, IC= 2 mA ved VCE= 5 V, IC= 10 mA																															VBE(on)VBE(on)					580 -			- -		700 720					mV mV
Overgangsfrekvens ved VCE= 5 V, IC= 10 mA, f = 100 MHz																															fT					-			300		-					MHz
Output Kapacitans ved VCB = 10 V, f = 1 MHz																															Cob					-			-		6					pF
Input Kapacitans ved VEB = 0,5 V, f = 1 MHz																															Cib					-			9		-					pF

●BC846 NPN Silicium Epitaksial Transistor relaterede dele

Diode ensretter M7-Topdiode

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel