Kina BC847W NPN Silicium Epitaksial Transistor-producenter og -leverandører til generelle formål

Produkt beskrivelse
specifikationer
Hent

●BC847W NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål -- Topdiode

BC847W NPN Silicium Epitaksial Transistor 45V, 100mA NPN universaltransistorer i Surface-Mounted Device (SMD) plastikpakker.

●BC847W NPN Silicium Epitaksial Transistor til generel brug Introduktion

BC847W NPN silicium epitaksial plan transistor til generelle formål og switching applikationer. De er anbragt i SCâˆ’70/SOTâˆ’323, som er designet til laveffekt overflademontering.

BC847W NPN bipolær transistor

●BC847W NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål

* Transistorer til generelle formål

* SMD plastikpakker

* Tre forskellige forstærkningsvalg

* Høj strømforstærkning

* Lav kollektor-emitter mætning spænding

* Lav støj mellem 30Hz og 15KHz

* Komplementær type: BC856W

●BC847W NPN Silicium Epitaksial Transistor-anvendelse til generel brug

* ESD-beskyttelse

* Datalinjebeskyttelse

* Styrelogik

* til generelle formål og skiftende applikationer

●BC847W NPN Silicium Epitaksial Transistor Kvalifikation til generelle formål, Leveringstid, Forsendelsesbetingelser

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindelig lager Diode Diode Ensretter M7 tilgængelig;

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●BC847W NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formålKontur og ydre dimensioner

●BC847W NPN Silicium Epitaksial Generelle Transistor Elektriske Karakteristika

Absolutte maksimumvurderinger (Ta = 25 OC)

Parameter		Symbol	Værdi	Enhed
Collector Basisspænding	BC846W		80
	BC847W BC848W	VCBO	50 30	V
	BC849W		30
	BC850W		50
Collector Emitter Spænding	BC846W		65
	BC847W BC848W	VCEO	45 30	V
	BC849W		30
	BC850W		45
Emitter basisspænding	BC846W		6
	BC847W BC848W	VEBO	6 5	V
	BC849W		5
	BC850W		5
Samler Aktuel		IC	100	mA
Peak Collector Current		ICM	200	mA
Total effekttab		Ptot	200	mW
Junction temperatur		Tj	150	OC
Opbevaringstemperaturområde		Tstg	- 55 til + 150	OC

BC846Wâ€¦BC850W
Karakteristika ved Ta = 25 OC

Parameter		Symbol	Min.	Maks.	Enhed
DC strømforstærkning ved VCE= 5 V, IC= 2 mA	BC846AW~BC850AW BC846BW~BC850BW BC846CW~BC850CW	hFE hFE hFE	110 200 420	220 450 800	- - -
Collector Basisspænding ved IC = 10 µA	BC846W BC847W BC848W BC849W BC850W	VCBO	80 50 30 30 50	- - - - -	V
Collector Emitter Spænding ved IC = 10 mA	BC846W BC847W BC848W BC849W BC850W	VCEO	65 45 30 30 45	- - - - -	V
Emitter basisspænding ved IE = 1 µA	BC846W BC847W BC848W BC849W BC850W	VEBO	6 6 5 5 5	- - - - -	V
Collector Base Cutoff Current ved VCB = 30 V		ICBO	-	15	nA
Emitter Base Cutoff Current ved VEB= 5 V		IEBO	-	100	nA
Collector Emitter Saturation Voltage ved IC = 10 mA, IB = 0,5 mA IC = 100 mA, IB = 5 mA		VCE(lør)	- -	0.25 0.6	V
Base Emitter Spænding ved VCE= 5 V, IC= 2 mA VCE= 5 V, IC= 10 mA		VBE	0.58 -	0.7 0.77	V
Overgangsfrekvens ved VCE= 5 V, IC= 10 mA, f = 100 MHz		fT	100	-	MHz
Collector Output Kapacitans ved VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz		Cob	-	4.5	pF

●BC847W NPN Silicium Epitaksial relaterede dele til generelle formål

BC847W NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål - Topdiode

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel

Hot Tags: BC847W NPN Silicium Epitaksial Transistor, Producenter, Leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret