Kina BC848W NPN Silicium Epitaksial Transistor-producenter og -leverandører til generelle formål

Produkt beskrivelse
specifikationer
Hent

●BC848W NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål -- Topdiode

BC848W NPN Silicium Epitaksial Transistor 30V, 100mA NPN generel transistor i Surface-Mounted Device (SMD) plastikpakker.

BC848W NPN Silicium Epitaksial Transistor til generel brug Introduktion

BC848W NPN Planar Transistor er designet til generelle forstærkerapplikationer. Den er indeholdt i SOT-323/SC-70-pakken, som er designet til laveffekt overflademontering.

BC848W NPN bipolær transistor

●BC848W NPN silicium epitaksial transistor til generelle formål

* Transistorer til generelle formål

* SMD plastikpakker

* Tre forskellige forstærkningsvalg

* Høj strømforstærkning

* Lav kollektor-emitter mætning spænding

* Lav støj mellem 30Hz og 15KHz

* Komplementær type: BC856W

●BC848W NPN silicium epitaksial generel transistorapplikation

* Til generelle formål og skiftende applikationer

* ESD-beskyttelse

* Beskyttelse mod polaritet

* Datalinjebeskyttelse

* Induktiv belastningsbeskyttelse

* Styrelogik

●BC848W NPN Silicium Epitaksial Transistor Kvalifikation, Leveringstid, Forsendelsesbetingelser

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindelig lagerdiode

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●BC848W NPN silicium epitaksial transistorkonturer til generelle formål og ydre dimensioner

●BC848W NPN Silicium Epitaksial Transistor Elektriske egenskaber til generel brug

Absolutte maksimumvurderinger (Ta = 25 OC)

Parameter		Symbol	Værdi	Enhed
Collector Basisspænding	BC846W		80
	BC847W BC848W	VCBO	50 30	V
	BC849W		30
	BC850W		50
Collector Emitter Spænding	BC846W		65
	BC847W BC848W	VCEO	45 30	V
	BC849W		30
	BC850W		45
Emitter basisspænding	BC846W		6
	BC847W BC848W	VEBO	6 5	V
	BC849W		5
	BC850W		5
Samler Aktuel		IC	100	mA
Peak Collector Current		ICM	200	mA
Total effekttab		Ptot	200	mW
Junction temperatur		Tj	150	OC
Opbevaringstemperaturområde		Tstg	- 55 til + 150	OC

BC846Wâ€¦BC850W
Karakteristika ved Ta = 25 OC

Parameter		Symbol	Min.	Maks.	Enhed
DC strømforstærkning ved VCE= 5 V, IC= 2 mA	BC846AW~BC850AW BC846BW~BC850BW BC846CW~BC850CW	hFE hFE hFE	110 200 420	220 450 800	- - -
Collector Basisspænding ved IC = 10 µA	BC846W BC847W BC848W BC849W BC850W	VCBO	80 50 30 30 50	- - - - -	V
Collector Emitter Spænding ved IC = 10 mA	BC846W BC847W BC848W BC849W BC850W	VCEO	65 45 30 30 45	- - - - -	V
Emitter basisspænding ved IE = 1 µA	BC846W BC847W BC848W BC849W BC850W	VEBO	6 6 5 5 5	- - - - -	V
Collector Base Cutoff Current ved VCB = 30 V		ICBO	-	15	nA
Emitter Base Cutoff Current ved VEB= 5 V		IEBO	-	100	nA
Collector Emitter Saturation Voltage ved IC = 10 mA, IB = 0,5 mA IC = 100 mA, IB = 5 mA		VCE(lør)	- -	0.25 0.6	V
Base Emitter Spænding ved VCE= 5 V, IC= 2 mA VCE= 5 V, IC= 10 mA		VBE	0.58 -	0.7 0.77	V
Overgangsfrekvens ved VCE= 5 V, IC= 10 mA, f = 100 MHz		fT	100	-	MHz
Collector Output Kapacitans ved VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz		Cob	-	4.5	pF

●BC848W NPN Silicium Epitaksial Transistor relaterede dele

BC848W NPN Silicium Epitaksial Transistor-Topdiode til generel brug

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel

Hot Tags: BC848W NPN Silicium Epitaksial Transistor, Producenter, Leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret

Produkt Tag

Send forespørgsel

Du er velkommen til at give din forespørgsel i nedenstående formular. Vi svarer dig inden for 24 timer.

Produkter

Nye produkter

BC848W NPN silicium epitaksial transistor til generelle formål