BC849 NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål

●BC849 NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål -- Topdiode

BC849 NPN Silicium Epitaksial Transistor 30V, 100mA NPN universaltransistorer i overflademonteret enhed (SMD) plastikpakker.

●BC849 NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål Introduktion

BC849 NPN silicium epitaksial transistor til switching og forstærker applikationer Som komplementære typer anbefales PNP transistorer BC859

●BC849 NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål

* Lav strøm

* Lav spænding

* SMD plastikpakker

* To forskellige forstærkningsvalg

* Høj strømforstærkning

* Lav kollektor-emitter mætning spænding

* Lav støj mellem 30Hz og 15KHz

* Komplementære typer: BC859(PNP)

●BC849 NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål

* Almindelig omskiftning og forstærkning

* Til AF-inputtrin og driverapplikationer

* Signalbehandling

* Adaptere

* Belysningsapplikation

●BC849 NPN Silicium Epitaksial Transistor Kvalifikation til generelle formål Levering, forsendelse og vilkår

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindelig lagerdiode BC849 tilgængelig;

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●BC849 NPN silicium epitaksial transistorkonturer og ydre dimensioner til generelle formål

●BC849 NPN Silicium Epitaksial Generelle Transistor Elektriske Karakteristika

Absolutte maksimumvurderinger (Ta = 25 OC)

Karakteristika ved Ta = 25 OC

Parameter																															Symbol					Min.			Typ.		Maks.					Enhed
DC strømforstærkning ved VCE= 5 V, IC= 2 mA																				Nuværende gevinstgruppe A B C											hFE hFE hFE					110 200 420			- - -		220 450 800					- - -
Collector Base Cutoff Strøm kl VCB = 30 V																															ICBO					-			-		15					nA
Collector Base Breakdown Voltage ved IC = 100 µA																				BC846 BC847, BC850 BC848, BC849											V(BR)CBOV(BR)CBOV(BR)CBO					80 50 30			- - -		- - -					V V V
Collector Emitter Breakdown Voltage ved IC= 2 mA																				BC846 BC847, BC850 BC848, BC849											V(BR)CEOV(BR)CEOV(BR)CEO					65 45 30			- - -		- - -					V V V
Collector Emitter Breakdown Voltage ved IC = 100 µA																				BC846, BC847 BC848,BC849,BC850											V(BR)EBOV(BR)EBO					6 5			- -		- -					V V
Collector Emitter Saturation Voltage ved IC = 10 mA, IB = 0,5 mA ved IC = 100 mA, IB = 5 mA																															VCEsatVCEsat					- -			- -		250 600					mV mV
Basisemitter på spænding ved VCE= 5 V, IC= 2 mA ved VCE= 5 V, IC= 10 mA																															VBE(on)VBE(on)					580 -			- -		700 720					mV mV
Overgangsfrekvens ved VCE= 5 V, IC= 10 mA, f = 100 MHz																															fT					-			300		-					MHz
Output Kapacitans ved VCB = 10 V, f = 1 MHz																															Cob					-			-		6					pF
Input Kapacitans ved VEB = 0,5 V, f = 1 MHz																															Cib					-			9		-					pF

●BC849 NPN Silicium Epitaksial Transistor relaterede dele

BC849 NPN Silicium Epitaksial Transistor-Topdiode til generel brug

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel