Kina BC850 NPN Silicium Epitaksial Transistor-producenter og -leverandører til generelle formål

Produkt beskrivelse
specifikationer
Hent

●BC850 NPN silicium epitaksial transistor til generelle formål -- Topdiode

BC850 NPN Silicium Epitaksial Transistor 30V, 100mA NPN universaltransistorer i Surface Mounted Device (SMD) plastikpakker.

●BC850 NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål Introduktion

BC850 NPN silicium epitaksial transistor til switching og forstærker applikationer Som komplementære typer anbefales PNP transistorer BC860

●BC850 NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål

* Lav strøm

* Lav spænding

* SMD plastikpakker

* To forskellige forstærkningsvalg

* Høj strømforstærkning

* Lav kollektor-emitter mætning spænding

* Lav støj mellem 30Hz og 15KHz

* Komplementære typer: BC860(PNP)

●BC850 NPN Silicium epitaksial transistor til generelle formål

* Almindelig omskiftning og forstærkning

* Til AF-inputtrin og driverapplikationer

* Signalbehandling

* Adaptere

* Belysningsapplikation

●BC850 NPN Silicium Epitaksial Transistor Kvalifikation, Forsendelse og Vilkår

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindelig lagerdiode BC850 tilgængelig

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●BC850 NPN silicium epitaksial transistor til generelle formål Kontur og ydre dimensioner

●BC850 NPN Silicium Epitaksial Transistor Elektriske Karakteristika til generelle formål

Absolutte maksimumværdier (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Værdi

Enhed

Collector Basisspænding

BC846

VCBO

80

V

BC847, BC850

VCBO

50

V

BC848, BC849

VCBO

30

V

Collector Emitter Spænding

BC846

VCEO

65

V

BC847, BC850

VCEO

45

V

BC848, BC849

VCEO

30

V

Emitter basisspænding

BC846, BC847

VE BO

6

V

BC848, BC849, BC850

VE BO

5

V

Samler Aktuel

IC

100

mA

Peak Collector Current

ICM

200

mA

Effekttab

Ptot

300

mW

Junction temperatur

Tj

150

OC

Opbevaringstemperaturområde

Tstg

- 65 til + 150

OC

Karakteristika ved Ta = 25 °C

Parameter		Symbol	Min.	Typ.	Maks.	Enhed
DC strømforstærkning ved VCE= 5 V, IC= 2 mA	Nuværende gevinstgruppe A B C	hFE hFE hFE	110 200 420	- - -	220 450 800	- - -
Collector Base Cutoff Strøm kl VCB = 30 V		ICBO	-	-	15	nA
Collector Base Breakdown Voltage ved IC = 100 µA	BC846 BC847, BC850 BC848, BC849	V(BR)CBOV(BR)CBOV(BR)CBO	80 50 30	- - -	- - -	V V V
Collector Emitter Breakdown Voltage ved IC= 2 mA	BC846 BC847, BC850 BC848, BC849	V(BR)CEOV(BR)CEOV(BR)CEO	65 45 30	- - -	- - -	V V V
Collector Emitter Breakdown Voltage ved IC = 100 µA	BC846, BC847 BC848,BC849,BC850	V(BR)EBOV(BR)EBO	6 5	- -	- -	V V
Collector Emitter Saturation Voltage ved IC = 10 mA, IB = 0,5 mA ved IC = 100 mA, IB = 5 mA		VCEsatVCEsat	- -	- -	250 600	mV mV
Basisemitter på spænding ved VCE= 5 V, IC= 2 mA ved VCE= 5 V, IC= 10 mA		VBE(on)VBE(on)	580 -	- -	700 720	mV mV
Overgangsfrekvens ved VCE= 5 V, IC= 10 mA, f = 100 MHz		fT	-	300	-	MHz
Output Kapacitans ved VCB = 10 V, f = 1 MHz		Cob	-	-	6	pF
Input Kapacitans ved VEB = 0,5 V, f = 1 MHz		Cib	-	9	-	pF

●BC850 NPN Silicium Epitaksial Transistor-relaterede dele

BC850 NPN Silicium Epitaksial Transistor til generelle formål - Topdiode

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel

Hot Tags: BC850 NPN Silicium Epitaksial Transistor, Producenter, Leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret