LL4148 Små signal hurtigt skiftende diode-topdiode
LL4148 er en silicium epitaksial plan diode med identifikation af katodebånd, kommer i glaspakkeversion. Den har høj ledningsevne og høj pålidelighed
●LL4148 Små signal hurtigt skiftende diode Introduktion
Dioder - Generelle formål, Power, Switching Small Signal Diode
LL4148 SMD lille signal hurtigt skiftende dioder højhastigheds 200mA 100V LL-34 (SOD-80)
●LL4148 lille signal hurtigt skiftende diodefunktioner
* 500mW Effekttab
* 4pF ved 1MHz Total kapacitans
●LL4148 lille signal hurtigt skiftende diodeapplikationer
* Ekstremt hurtige kontakter
* Kan bruges til at forhindre omvendt polaritetsproblem
* Beskyt Power elektroniske kontakter, der arbejder med høj koblingsfrekvens.
* Bruges som beskyttelsesanordning
* Strømstrømsregulatorer
* Signalbehandling
●LL4148 lille signal hurtigt skiftende diode kvalifikation，Levering, forsendelse og vilkår
* RoHS-kompatibel
* REACH-kompatibel
* Almindelig lagerdiode LL4148 tilgængelig
* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår
●LL4148 Småsignal hurtigt skiftende diodekonturer og udvendige dimensioner
●LL4148 Små signal hurtigt skiftende diode MAKSIMUM KRAFTIGHEDER OG ELEKTRISKE KARAKTERISTIKA
Absolutte maksimumvurderinger (Ta = 25 OC)
|
Parameter
|
Symbol |
Værdi |
Enhed |
| Peak omvendt spænding |
VRM |
100
|
V
|
| Omvendt spænding |
VR |
75
|
V
|
| Gennemsnitlig rettet fremstrøm |
HVIS(AV) |
200
|
mA |
| Ikke-repetitiv spidsspændingsstrøm |
ved t = 1 s
ved t = 1 ms |
IFSM |
0.5
1
4
|
A
|
|
|
ved t = 1 μs |
| Effekttab |
Ptot |
5001) |
mW |
| Junction temperatur |
Tj |
175
|
OC |
| Opbevaringstemperaturområde |
Tstg |
- 65 til + 175 |
OC |
| 1) Gyldig forudsat at elektroderne holdes ved omgivelsestemperatur. |
Karakteristika ved Ta = 25 OC
| Parameter |
Symbol |
Min. |
Maks. |
Enhed |
Fremspænding kl
IF= 10 mA |
VF |
-
|
1
|
V
|
Lækstrøm
ved VR= 20 V
ved VR= 75 V
ved VR= 20 V, Tj= 150 OC |
IR
IR
IR |
-
-
-
|
25
5
50
|
nA
µA
µA |
Omvendt nedbrudsspænding
testet med 100 µA pulser |
V(BR)R |
100
|
-
|
V
|
Kapacitans
ved VR = 0, f = 1 MHz |
Ctot |
-
|
4
|
pF |
Spændingsstigning ved tænding testet med 50 mA fremadgående impulser
tp = 0,1 s, stigetid < 30 ns, fp = 5 til 100 KHz |
Vfr |
-
|
2.5
|
V
|
Omvendt gendannelsestid
ved IF= 10 mA til IR= 1 mA, VR= 6 V, RL= 100 Ω |
trr |
-
|
4
|
ns |
| Termisk modstandsforbindelse til omgivende luft |
RthA |
-
|
0,351) |
K/mW |
Udbedring Effektivitet
ved f = 100 MHz, VRF = 2 V |
ηV |
0.45
|
-
|
-
|
1) Gyldig forudsat at elektroderne holdes ved omgivelsestemperatur.
