MMBD914 Small Signal Switching Diodes -Topdiode
Silicium epitaksial plan koblingsdiode
●MMBD914 Små signalomskiftningsdioder Introduktion
Diode: skifte; SMD; 75V; 250mA; 4ns; 2pF SOT363
●BAV756DW Små signalomskiftningsdioder funktioner
* Hurtig skiftehastighed
* Ultra-lille overflademonteringspakke
* Til generelle skiftapplikationer
* Høj ledningsevne
●MMBD914 applikationer til små signalomskifterdioder
* Højhastighedsskift
●MMBD914 Små signalomskifterdioder Kvalifikation，Levering, forsendelse og vilkår
* RoHS-kompatibel
* REACH-kompatibel
* Almindelig lagerdiode BAV756DW tilgængelig
* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår
●MMBD914 Små signalomskiftningsdioder omrids og udvendige dimensioner
●MMBD914 Små signalomskifterdioder MAKSIMUM KRAFTIGHEDER OG ELEKTRISKE EGENSKABER
Absolutte maksimumvurderinger (Ta = 25℃)
| Parameter |
Symbol |
Værdi |
Enhed |
| Gentagende Peak Reverse Voltage |
VRRM |
85
|
V
|
| Omvendt spænding |
VR |
75
|
V
|
Kontinuerlig fremadgående strøm Enkelt diode indlæst
Alle dioder er indlæst |
HVIS |
250
100
|
mA |
| Gentagende spidsstrøm |
IFRM |
450
|
mA |
Ikke-repetitiv spidsfremadspændingsstrøm ved t = 1 µs
ved t = 1 ms
ved t = 1 s |
IFSM |
4
1
0.5
|
A
|
| Total effekttab |
Ptot |
350
|
mW |
| Junction temperatur |
Tj |
- 65 til + 150 |
℃
|
| Opbevaringstemperaturområde |
Tstg |
- 65 til + 150 |
℃
|
Karakteristika ved Ta = 25℃
| Parameter |
Symbol |
Maks. |
Enhed |
Fremadspænding
ved IF= 1 mA
ved IF= 10 mA
ved IF= 50 mA
ved IF= 150 mA |
VF |
0.715
0.855
1
1.25
|
V
|
Omvendt strøm
ved VR= 25 V
ved VR= 75 V
ved VR= 25 V, Tj= 150℃
ved VR= 75 V, Tj= 150℃ |
IR |
30
2.5
60
100
|
nA
µA
µA
µA |
Diode Kapacitans
ved VR = 0, f = 1 MHz |
Cd |
2
|
pF |
Omvendt gendannelsestid
ved IF= IR= 10 mA, Irr= 0,1 X IR, RL= 100 Ω |
trr |
4
|
ns |
Hot Tags: MMBD914 Small Signal Switching Diode, Producenter, Leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret
