Kina MMBT2907W NPN Epitaksial silicium Transistor-producenter og -leverandører til generelle formål

Produkt beskrivelse
specifikationer
Hent

●MMBT2907W NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål -- Topdiode

MMBT2907W 60V 600mA SOT-323 Pakke

MMBT2907W / MMBT2907AW PNP Silicon Epitaksial Planar Medium Power transistorer er designet til generelle forstærkerapplikationer. De er anbragt i SOTâ€“323/SCâ€“70 pakken, som er designet til laveffekt overflademontering.

●MMBT2907W PNP epitaksial silicium introduktion til generel transistor

Den bipolære PNP-transistor er anbragt i SOT-323/SC-70-pakken, som er designet til overflademontering med lav effekt.

●MMBT2907W PNP epitaksial silicium transistor til generelle formål

* PNP epitaksial silicium, plan design

* Kollektor-emitterspænding VCE =-40V

* Samlerstrøm IC =-600mA

●MMBT2907W PNP epitaksial silicium universaltransistorapplikation

* Til switching og forstærkerapplikationer

●MMBT2907W PNP epitaksial silicium generel transistorkvalifikation Levering, forsendelse og vilkår

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindelig lagerdiode

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●MMBT2907W PNP epitaksial silicium transistorkonturer og udvendige dimensioner til generelle formål

●MMBT2907W PNP epitaksial silicium transistor til generel brug MAKSIMUM KRAFTIGHEDER OG ELEKTRISKE EGENSKABER

Absolutte maksimumværdier (Ta = 25 °C)

Parameter	Symbol	Værdi	Enhed
Collector Basisspænding	-VCBO	60	V
Collector Emitter Spænding MMBT2907W MMBT2907AW	- VD	40 60	V
Emitter basisspænding	-VEBO	5	V
Samler Aktuel	-IC	600	mA
Total effekttab	Ptot	200	mW
Junction temperatur	Tj	150	°C
Opbevaringstemperaturområde	Tstg	- 55 til + 150	°C

MMBT2907W / MMBT2907AW
Karakteristika ved Ta = 25 °C

Parameter	Symbol	Min.	Maks.	Enhed
DC strømforstærkning ved -VCE= 10 V, -IC= 0,1 mA MMBT2907W MMBT2907AW ved -VCE= 10 V, -IC= 1 mA MMBT2907W MMBT2907AW ved -VCE= 10 V, -IC= 10 mA MMBT2907W MMBT2907AW ved -VCE= 10 V, -IC= 150 mA ved -VCE= 10 V, -IC= 500 mA MMBT2907W MMBT2907AW	hFE	35 75 50 100 75 100 100 30 50	- - - - - - 300 - -	- - - - - - - - -
Collector Base Cutoff Current ved -VCB= 50 V	-ICBO	-	100	nA
Collector Emitter Cutoff Current ved -VCE= 30 V	-ICES	-	100	nA
Emitter Base Cutoff Current ved -VEB= 3 V	-IEBO	-	100	nA
Collector Base Breakdown Voltage ved -IC = 10 µA	-V(BR)CBO	60	-	V
Collector Emitter Breakdown Voltage ved -IC= 10 mA MMBT2907W MMBT2907AW	-V(BR)adm. direktør	40 60	- -	V
Emitter Base Breakdown Spænding ved -IE = 10 µA	-V(BR)EBO	5	-	V
Collector Emitter Saturation Voltage ved -IC= 150 mA, -IB= 15 mA ved -IC= 500 mA, -IB= 50 mA	-VCE(lør)	- -	0.4 1.6	V
Base Emitter Mætningsspænding ved -IC= 150 mA, -IB= 15 mA ved -IC= 500 mA, -IB= 50 mA	-VBE(lør)	- -	1.3 2.6	V
Overgangsfrekvens ved -VCE= 20 V, IE= 50 mA, f = 100 MHz	fT	200	-	MHz
Collector Output Kapacitans ved -VCB= 10 V, f = 100 KHz	Cob	-	8	pF
Tænd tid ved -VCC= 30 V, -VBE(OFF)= 1,5 V, -IC= 150 mA, -IB1= 15 mA	ton	-	50	ns
Forsinkelse ved -VCC= 30 V, -VBE(OFF)= 1,5 V, -IC= 150 mA, -IB1= 15 mA	td	-	10	ns
Tid til at stå op ved -VCC= 30 V, -VBE(OFF)= 1,5 V, -IC= 150 mA, -IB1= 15 mA	tr	-	40	ns
Sluk tid ved -VCC= 30 V, -IC= 150 mA, IB1= IB2= -15 mA	tof	-	100	ns
Opbevaringstid ved -VCC= 30 V, -IC= 150 mA, IB1= IB2= -15 mA	tstg	-	80	ns
Efterårstid ved -VCC= 30 V, -IC= 150 mA, IB1= IB2= -15 mA	tf	-	30	ns

●MMBT2907W PNP epitaksial silicium Transistor-relaterede dele

MMBT2907W PNP epitaksial silicium transistor til generelle formål - Topdiode

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel

Hot Tags: MMBT2907W NPN epitaksial silicium transistor, fabrikanter, leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret

Produkt Tag

Send forespørgsel

Du er velkommen til at give din forespørgsel i nedenstående formular. Vi svarer dig inden for 24 timer.

Produkter

Nye produkter

MMBT2907W NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål

MMBT2907W NPN epitaksiale siliciumtransistorer til generelle formål er designet til generelle forstærkerapplikationer. De er anbragt i SOTâ€“323/SCâ€“70 pakken, som er designet til laveffekt overflademontering.