Kina MMBT3904 NPN Epitaksial silicium Transistor-producenter og -leverandører til generelle formål

Produkt beskrivelse
specifikationer
Hent

●MMBT3904 NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål -- Topdiode

MMBT3904 NPN Epitaksial Silicium Transistor til generelle formålBipolære transistorer - BJT 40V NPN 40Vceo 6Vebo 200mA

MMBT3904 NPN Epitaxial Silicon General Purpose Transistor er designet som en generel forstærker og switch. Det nyttige dynamiske område strækker sig til 100mA som switch og til 100 MHz som forstærker

●MMBT3904Introduktion til NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål

MMBT3904 fra Topdidoe er en overflademonteret, NPN-generel forstærker i SOT-23-pakken. Denne enhed er velegnet til generelle forstærknings- og omskiftningsapplikationer.

PNP-komplement: MMBT3906

●MMBT3904 40V NPN LILLE SIGNAL TRANSISTOR I SOT23

MMBT3904NPN Epitaksial silicium transistor til generelle formål

* Epitaksial plan matricekonstruktion

* Supplerende PNP-type tilgængelig (MMBT3906)

* Ideel til medium effektforstærkning og switching

* Samlerstrømkapacitet IC = 200 mA

* Kollektor-emitterspænding VCEO = 40 V.

●MMBT3904 NPN epitaksial silicium Transistor-applikation til generelle formål

* Generelt skifte

* Drivermoduler som relædriver, LED-driver osv...

* Forstærkermoduler som lydforstærkere, signalforstærker osv...

* VCB og VBE er høj og kan derfor bruges til at styre spændingsbelastninger op til 40V

* Almindelig brugt i TV og andre husholdningsapparater

* Signalbehandling,

* Strømstyring, bærbare enheder,

* Forbrugerelektronik, industri

●MMBT3904 NPN epitaksial silicium generel transistor produktkvalifikation, leveringstid, forsendelsesbetingelser

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindelig lagerdiode

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●MMBT3904 NPN epitaksial silicium generel transistorkonturer og ydre dimensioner

●MMBT3904 NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål ELEKTRISKE EGENSKABER

Absolutte maksimumværdier (L = 25 °C)

Parameter	Symbol	Værdi	Enhed
Collector Basisspænding	VCBO	60	V
Collector Emitter Spænding	VCEO	40	V
Emitter basisspænding	VEBO	6	V
Samler Aktuel	lc	200	mA
Effekttab	Ptot	350	mW
Junction temperatur	Tj	150	°C
Opbevaringstemperaturområde	Tstg	-55 til +150	°C

MMBT3904

Karakteristika ved Ta= 25 °C Parameter	Symbol	Min.	Maks.	Enhed
DC strømforstærkning ved VCE= 1 V, lc = 0,1 mA	hFE	40	-	-
ved VCE = 1 V, lc = 1 mA	hFE	70	-	-
ved VCE= 1 V, lc= 10 mA	hFE	100	300	-
ved VCE= 1 V, lc=50 mA	hFE	60	-	-
atVCE= 1 V, lc= 100 mA	hFE	30	-	-
Collector Base Cutoff Current atVCb= 30 V	ICBO	-	50	nA
Emitter Base Cutoff Current ved VEB=6 V	IEBO	-	50	nA
Collector Base Breakdown Voltage ved lc = 10 uA	V(BR)CBO	60	-	V
Collector Emitter Breakdown Voltage ved lc = 1 mA	V(BR) CEO	40	-	V
Emitter Base Breakdown Spænding atIe=10uA	V(BR)EBO	6	-	V
Collector Emitter Saturation Voltage ved lc = 10 mA, IB = 1 mA ved lc = 50 mA, IB = 5 mA	VCE(lør)	-	0.2 0.3	V V
Base Emitter Mætningsspænding ved lc = 10 mA, IB = 1 mA ved lc = 50 mA, IB = 5 mA	VBE(lør) VBE(lør)	0.65 -	0.85 0.95	V V
Nuværende Gain Båndbredde Produkt ved VCE=20 V, lc= 10 mA, f= 100 MHz	fT	300	-	MHz
Collector Output Kapacitans ved VCB=5V, lE=0, f=1 MHz	Cob	-	4	pF
Forsinkelse ved VCC= 3 V, VBE= 0,5 V, lc= 10 mA, IB1= 1 mA	td	-	35	ns
Tid til at stå op ved Vcc=3 V, VBE=0,5 V, lc = 10 mA, Ib1=1 mA	tr	-	35	ns
Opbevaringstid ved Vcc=3 V, lc=10 mA, IB1=-IB2=1 mA	ts	-	200	ns
Efterårstid ved VCC = 3 V, lc = 10 mA, I = -I = 1 mA	tf	-	50	ns

●MMBT3904 NPN Epitaksial silicium Transistor-relaterede dele

MMBT3904 NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål - Topdiode

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel

Hot Tags: MMBT3904 NPN Epitaxial Silicium Transistor, Producenter, Leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret

Produkt Tag

Send forespørgsel

Du er velkommen til at give din forespørgsel i nedenstående formular. Vi svarer dig inden for 24 timer.

Produkter

Nye produkter

MMBT3904 NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål

MMBT3904 NPN Epitaksial Silicium Transistorï¼Œ bipolære transistorer til generelle formål - BJT 40V NPN 40Vceo 6Vebo 200mA