Kina MMBT3906 NPN epitaksial silicium Transistor-producenter og -leverandører til generelle formål

Produkt beskrivelse
specifikationer
Hent

MMBT3906 NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål - topdiode

Bipolære transistorer - BJT PNP -40Vcbo -40Vceo Vebo -6V -200mA

MMBT3906 PNP epitaksial silicium transistorer til generelle formål designet til forstærker- og switching-applikationer.

MMBT3906 er en generel transistor med kontinuerlig justerbar spænding, lav dynamisk udgangsmodstand, flad temperaturkarakteristik, lav udgangsspændingsstøj.

Som komplementære typer anbefales NPN-transistorerne MMBT3904.

●MMBT3906 PNP epitaksial silicium introduktion til generel transistor

MMBT3906 PNP Silicium Transistorin en SOT23 plastikpakke. NPN-komplement: MMBT3904.

●MMBT3906 PNP Epitaksial Silicium Transistor FUNKTIONER

* Samlerstrømkapacitet IC = âˆ’200 mA

* Kollektor-emitterspænding VCEO = âˆ’40 V.

* Komplementær NPN-type: MMBT3904

* Lavt strømtab, høj effektivitet

* Ideel til automatisk placering

●MMBT3906 PNP Epitaksial Silicium Transistor applikation til generelle formål

* Skiftende strømforsyning (SMPS)

* Adaptere

* Belysningsapplikation

* Indbygget DC/DC-konverter

●MMBT3906 PNP epitaksial silicium generel transistor produktkvalifikation, leveringstid, forsendelsesbetingelser

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindelig lagerdiode

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●MMBT3906 NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål og udvendige dimensioner

●MMBT3906 PNP Epitaksial Silicium Generelle Transistor Elektriske Karakteristika

Absolutte maksimumværdier (Ta = 25 °C)

Parameter	Symbol	Værdi	Enhed
Collector Basisspænding	-VCBO	40	V
Collector Emitter Spænding	- VD	40	V
Emitter basisspænding	-VEBO	6	V
Samler Aktuel	-IC	200	mA
Effekttab	Ptot	350	mW
Junction temperatur	Tj	150	°C
Opbevaringstemperaturområde	Tstg	- 55 til + 150	°C

Karakteristika ved Ta = 25 °C

Parameter	Symbol	Min.	Maks.	Enhed
DC strømforstærkning ved -VCE= 1 V, -IC= 0,1 mA ved -VCE= 1 V, -IC= 1 mA ved -VCE= 1 V, -IC= 10 mA ved -VCE= 1 V, -IC= 50 mA ved -VCE= 1 V, -IC= 100 mA	hFE	60 80 100 60 30	- - 300 - -	- - - - -
Collector Base Cutoff Current ved -VCB= 30 V	-ICBO	-	50	nA
Emitter Base Cutoff Current ved -VEB= 6 V	-IEBO	-	50	nA
Collector Base Breakdown Voltage ved -IC= 10 Î¼A	-V(BR)CBO	40	-	V
Collector Emitter Breakdown Voltage ved -IC= 1 mA	-V(BR)adm. direktør	40	-	V
Emitter Base Breakdown Spænding ved -IE= 10 Î¼A	-V(BR)EBO	6	-	V
Collector Emitter Saturation Voltage ved -IC= 10 mA, -IB=1 mA ved -IC= 50 mA, -IB= 5 mA	-VCE(lør) -VCE(lør)	- -	0.25 0.4	V V
Base Emitter Mætningsspænding ved -IC = 10 mA, -IB = 1 mA ved -IC= 50 mA, -IB= 5 mA	-VBE(lør) -VBE(lør)	0.65 -	0.85 0.95	V V
Nuværende Gain Båndbredde Produkt ved -VCE= 20 V, -IC= 10 mA, f = 100 MHz	fT	250	-	MHz
Output Kapacitans ved -VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz	Cobo	-	4.5	pF
Forsinkelse ved -VCC= 3 V, -VBE= 0,5 V, -IC= 10 mA, -IB1= 1 mA	td	-	35	ns
Tid til at stå op ved -VCC= 3 V, -VBE= 0,5 V, -IC= 10 mA, -IB1= 1 mA	tr	-	35	ns
Opbevaringstid ved -VCC= 3 V, -IC= 10 mA, -IB1= IB2= 1 mA	ts	-	225	ns
Efterårstid ved -VCC= 3 V, -IC= 10 mA, -IB1= IB2= 1 mA	tf	-	75	ns

●MMBT3906 PNP Epitaxial Silicium Transistor-relaterede dele til generelle formål

MMBT3906 PNP epitaksial silicium transistor til generelle formål - Topdiode

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel

Hot Tags: MMBT3906 NPN Epitaxial Silicium Transistor, Producenter, Leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret

Produkt Tag

Send forespørgsel

Du er velkommen til at give din forespørgsel i nedenstående formular. Vi svarer dig inden for 24 timer.

Produkter

Nye produkter

MMBT3906 NPN epitaksial silicium transistor til generelle formål

MMBT3906 NPN Epitaxial Silicium Transistor til generelle formål er forstærker- og switchingapplikationer.