Kina MMBT4401 Transistor Generelle Overflade Mount Producenter og Leverandører

Produkt beskrivelse
specifikationer
Hent

MMBT4401 Transistor Overflademontering til generelle formål -- Topdiode

MMBT4401 Transistor Overflademontering til generelle formålBipolære transistorer - BJT SOT-23 NPN GEN PUR Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 250MHz 310mW Overflademontering SOT-23. Denne enhed er designet til brug som en medium effektforstærker og switch, der kræver kollektorstrømme op til 500 mA.

●MMBT4401 Transistor Overflademontering til generelle formål Introduktion

MMBT4401 er en silicium NPN transistor i en SOTâˆ'23 type overflademonteringspakke designet til brug som en medium forstærker og switch

●MMBT4401 Transistor Overflademonteringsfunktioner til generelle formål

* Generelle formål

* Tre strømforstærkningsgrupper

* Høj stabilitet og høj pålidelighed

●MMBT4401 Transistor til almindelig overflademontering

* Signalbehandling

* Skift, forstærkning

* Kommerciel karakter

●MMBT4401 Transistor til generelle formål overflademontering Produktkvalifikation, leveringstid, forsendelsesbetingelser

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindelig lagerdiode

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●MMBT4401 Transistor Overflademontering til generelle formålKontur og ydre dimensioner

●MMBT4401 Transistor Overflademontering til generelle formål ELEKTRISKE EGENSKABER

Absolutte maksimumværdier (Ta = 25 °C)

Parameter	Symbol	Værdi	Enhed
Collector Basisspænding	VCBO	60	V
Collector Emitter Spænding	VCEO	40	V
Emitter basisspænding	VEBO	6	V
Samlerstrøm Kontinuerlig	IC	600	mA
Samlet enhedsdissipation FR-5 Board1) Reducer over 25OC	Ptot	200 1.8	mW mW/OC
Termisk modstandsforbindelse til omgivende	RÎ¸JA	417	OC/W
Junction temperatur	Tj	150	°C
Opbevaringstemperaturområde	Tstg	- 55 til + 150	°C

MMBT4401
Karakteristika ved Ta = 25 OC

Parameter	Symbol	Min.	Maks.	Enhed
DC strømforstærkning ved VCE= 1 V, IC= 0,1 mA ved VCE= 1 V, IC= 1 mA ved VCE= 1 V, IC= 10 mA ved VCE= 1 V, IC= 150 mA ved VCE= 2 V, IC= 500 mA	hFE	20 40 80 100 40	- - - 300 -	- - - - -
Collector Base Cutoff Current ved VCB= 35 V	ICBO	-	0.1	µA
Emitter Base Cutoff Current ved VEB= 5 V	IEBO	-	0.1	µA
Collector Base Breakdown Voltage ved IC = 0,1 mA	V(BR)CBO	60	-	V
Collector Emitter Breakdown Voltage ved IC= 1 mA	V(BR) CEO	40	-	V
Emitter Base Breakdown Spænding ved IE = 0,1 mA	V(BR)EBO	6	-	V
Collector Emitter Saturation Voltage ved IC = 150 mA, IB = 15 mA ved IC = 500 mA, IB = 50 mA	VCE(lør) VCE(lør)	- -	0.4 0.75	V V
Base Emitter Mætningsspænding ved IC = 150 mA, IB = 15 mA ved IC = 500 mA, IB = 50 mA	VBE(lør) VBE(lør)	0.75 -	0.95 1.2	V V
Nuværende Gain Båndbredde Produkt ved VCE= 10 V, IC= 20 mA, f = 100 MHz	fT	250	-	MHz
Collector Base Kapacitans ved VCB = 5 V, f = 1 MHz	Cob	-	6.5	pF
Forsinkelse VCC= 30 V, VEB= 2 V, IC= 150 mA, IB1= 15 mA	td	-	15	ns
Tid til at stå op VCC= 30 V, VEB= 2 V, IC= 150 mA, IB1= 15 mA	tr	-	20	ns
Opbevaringstid VCC= 30 V, IC= 150 mA, IB1= IB2= 15 mA	ts	-	225	ns
Efterårstid VCC= 30 V, IC= 150 mA, IB1= IB2= 15 mA	tf	-	30	ns

●MMBT4401 Transistor Overflademonteringsrelaterede dele til generelle formål

MMBT4401 Transistor til almindelig overflademontering - Topdiode

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel

Hot Tags: MMBT4401 Transistor Overflademontering til generelle formål, Producenter, Leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret