Kina MMBT7002K Producenter og leverandører

Produkt beskrivelse
specifikationer
Hent

MosfetMMBT7002K -- Topdiode

Mosfet MMBT7002K er N-Channel EnhancementMode Field Effect Transistor, MMBT7002K er i SOT-23-pakken.

●Mosfet MMBT7002K funktioner

* Lav modstand RDS(ON)

* Lav gate-tærskelspænding

* Lav input kapacitans

* ESD-beskyttet op til 2KV

●Mosfet MMBT7002K applikationer

* Signalbehandling, logisk niveaukonverter, drivere

* Kommerciel karakter

* Suffiks-Q: AEC-Q101 kompatibel

* Suffiks-AQ: i AEC-Q101-kvalifikation

●Mosfet MMBT7002K Kvalifikationï¼ŒLevering, forsendelse og vilkår

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Almindeligt lager Mosfet MMBT7002K tilgængelig;

* Ex-work, FCA-vilkår eller FOB-vilkår

●Mosfet MMBT7002K konturer og ydre dimensioner

●Mosfet MMBT7002K MAKSIMUM KRAFTIGHEDER OG ELEKTRISKE EGENSKABER

Absolutte maksimumværdier (Ta= 25 °C)
Parameter	Symbol	Værdi	Enhed
Drænkildespænding	Vdss	60	V
Gate-kilde spænding	Vgss	±20	V
Drænstrøm (kontinuerlig)	Id	300	mA
Drænstrøm (pulsbredde < 10 us)	Idm	800	mA
Total effekttab	Grund	350	mW
Drifts- og opbevaringstemperaturområde	Tj,Tstg	-55 til + 150	°C

Karakteristika ved Ta= 25 °C
Parameter	Symbol	Min.	Maks.	Enhed
Drænkildenedbrudsspænding ved lD= 10 uA	BVdss	60	-	V
Zero Gate Spænding Drain Current atVds= 60 V	Idss	-	1	uA
Gate Source Lækstrøm ved VGS= ±20 V	Igss	-	±10	uA
Porttærskelspænding ved VD'er=10V, lD=250pA	Vgs(th)	1	2.5	V
Statisk drænkilde ved modstand atVgs=10 V, lD= 500 mA atVgs=4,5V,lD=200mA	Rds (på)	-	3 4	Ω
Fremadgående transkonduktans ved Vds= 10 V, Vd=200 mA	gfs	80	-	Frk
Indgangskapacitans ved Vds= 25 V, f= 1 MHz	Ciss	-	50	pF
Udgangskapacitans ved Vds= 25 V, f= 1 MHz	Coss	-	25	pF
Omvendt overførselskapacitans ved Vds= 25 V, f= 1 MHz	CfSS	-	5	pF

●Mosfet MMBT7002K relaterede dele

MMBT7002K

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel

Hot Tags: MMBT7002K, Producenter, Leverandører, Køb, Fabrik, På lager, Bulk, Gratis prøve, Mærker, Kina, Made in China, Pris, Prisliste, Tilbud, REACH, ROHS, Kvalitet, Holdbar, Avanceret