MMBT8050 NPN silicium epitaksial plan transistor

MMBT8050 NPN silicium epitaksial plan transistor er SOT-23 plastikpakke. Der er tre terminaler, som repræsenterer base, emitter og solfanger. Til koblings- og forstærkerapplikationer, specielt velegnet til AF-drivertrin og laveffektudgangstrin. Transistoren er opdelt i to grupper C og D i henhold til dens DC-strømforstærkning

Send forespørgsel Download PDF

Produkt beskrivelse
specifikationer
Hent

●MMBT8050 NPN silicium epitaksial plan transistor -- Topdiode

MMBT8050 NPN silicium epitaksial plan transistor er SOT-23 plastikpakke. Der er tre terminaler, som repræsenterer base, emitter og solfanger. Til koblings- og forstærkerapplikationer, specielt velegnet til AF-drivertrin og laveffektudgangstrin. Transistoren er opdelt i to grupper C og D i henhold til dens DC-strømforstærkning

●MBT8050 NPN Silicium Epitaksial Planar Transistor Introduktion

MMBT8050 NPN silicium epitaksial plan transistor til switching og forstærker applikationer.

Som komplementær type anbefales PNP-transistoren MMBT8550.

●MMBT8050 NPN silicium epitaksial plan transistor funktioner

* NPN silicium epitaksial plan transistor til switching og forstærker applikationer

* Specielt velegnet til AF-driverstadier og laveffektstrin.

* SMD plastikpakker

* Gratis til MMBT8550

* Samleraktuel

●MMBT8050 NPN Silicium epitaksial plan transistorapplikationer

* til switching og forstærkerapplikationer

●MBT8050 NPN-transistorkvalifikation, leveringstid, forsendelsesbetingelser.

* RoHS-kompatibel

* REACH-kompatibel

* Ex-work, FCA eller FOB

* almindelig lager tilgængelig

●MMBT8050 NPN silicium epitaksial plan transistor konturer og ydre dimensioner

●MMBT8050 NPN silicium epitaksial plan transistor ELEKTRISKE EGENSKABER

Absolutte maksimumværdier (Ta = 25 °C)

Parameter	Symbol	Værdi	Enhed
Collector Basisspænding	Vcbo	40	V
Collector Emitter Spænding	Vceo	25	V
Emitter basisspænding	Vebo	6	V
Samler Aktuel	lc	600	mA
Effekttab	P tot	350	mW
Junction temperatur	Tj	150	°C
Opbevaringstemperaturområde	Tstg	-55 til + 150	°C

Karakteristika ved Ta = 25 °C

Parameter	Symbol	Min.	Typ.	Maks.	Enhed
DC strømforstærkning ved VCE= 1 V, lc= 100 mA MMBT8050C MMBT8050D atVCE= 1 V, lc=500 mA	hFE hFE hFE	100 160 40	-	250 400 -	-
Collector Base Cutoff Current ved Vcb=35 V	IcBO	-	-	100	nA
Collector Base Breakdown Voltage ved lc = 10UA	V(BR)CBO	40	-	-	V
Collector Emitter Breakdown Voltage ved lc= 2 mA	V(BR)CBO	25	-	-	V
Emitter Base Breakdown Spænding ved lE=100 mA	V(BR)CBO	6	-	-	V
Collector Emitter Saturation Voltage ved lc = 500 mA, IB = 50 mA	VCE(lør)	-	-	0.5	V
Base Emitter Mætningsspænding ved lc = 500 mA, IB = 50 mA	VBE(lør)	-	-	1.2	V
Få båndbreddeprodukt ved VCe = 5 V, lc = 10 mA	fT	-	100	-	MHz

●MMBT8050 NPN Silicium epitaksiale plane transistortransistorer relaterede dele

MMBT8050 NPN silicium epitaksial plan transistor transistorer-topdiode

RoHS-kompatibel

REACH-kompatibel

Hot Tags: MMBT8050 NPN Silicium epitaksial plan transistor, fabrikanter, leverandører, køb, fabrik, på lager, bulk, gratis prøve, mærker, Kina, fremstillet i Kina, pris, prisliste, tilbud, REACH, ROHS, kvalitet, holdbar, avanceret